FQB55N10TM、PSMN009-100B,118、FQB55N10对比区别

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型号 FQB55N10TM PSMN009-100B,118 FQB55N10

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 100V 75AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.021 Ω - 26 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.75 W 230 W 155 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 mA 75A 55.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

输入电容(Ciss) 2730pF @25V(Vds) 8250pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 3.75 W 230 W -

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 155W (Tc) 230W (Tc) -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 55.0 A - -

通道数 1 - -

输入电容 2.10 nF - -

栅电荷 75.0 nC - -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

上升时间 250 ns - -

下降时间 140 ns - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -