IRFS4410TRLPBF、PSMN009-100B,118、IRFS4410PBF对比区别

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型号 IRFS4410TRLPBF PSMN009-100B,118 IRFS4410PBF

描述 INFINEON  IRFS4410TRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新D2PAK N-CH 100V 75AN 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 250 W - 250 W

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 200 W 230 W 200 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 96A 75A 96A

上升时间 80 ns - 80 ns

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 8250pF @25V(Vds) 5150pF @50V(Vds)

下降时间 50 ns - 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.008 Ω - -

输入电容 5150 pF - -

额定功率(Max) - 230 W -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -