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STB120NF10T4、PSMN009-100B,118、IRFS4710对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB120NF10T4 PSMN009-100B,118 IRFS4710

描述 STMICROELECTRONICS  STB120NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 100V 75ATrans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管N沟道MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 120 A - 75.0 A

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0105 Ω - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 312 W 230 W 3.8 W

阈值电压 4 V - -

输入电容 5200 pF - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 110 A 75A 75.0 A

上升时间 90 ns - 130 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 8250pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 312 W 230 W -

下降时间 68 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 312000 mW 230W (Tc) -

产品系列 - - IRFS4710

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

重量 0.013607772 kg - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -