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FDP032N08、PHP160NQ08T,127、IRF2907ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP032N08 PHP160NQ08T,127 IRF2907ZPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP032N08  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 VTO-220AB N-CH 75V 75ATrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 75.0 A

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 375 W 300 W 300 W

产品系列 - - IRF2907Z

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 235A 75A 75.0 A

上升时间 - 56 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 15160pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 300 W 300 W

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0025 Ω 90 mΩ -

漏源击穿电压 - 75 V -

下降时间 - 48 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 375W (Tc) 300W (Tc) -

针脚数 3 - -

阈值电压 3.5 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.1 mm 10.3 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 15.38 mm 9.4 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -