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AOT430、PHP160NQ08T,127、PSMN008-75P,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOT430 PHP160NQ08T,127 PSMN008-75P,127

描述 TO-220 N-CH 75V 80ATO-220AB N-CH 75V 75ATO-220AB N-CH 75V 75A

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 268 W 300 W 230 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80A 75A 75A

输入电容(Ciss) 4700pF @30V(Vds) 5585pF @25V(Vds) 5260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 268 W 300 W 230 W

耗散功率(Max) 268W (Tc) 300W (Tc) 230W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 90 mΩ -

漏源击穿电压 - 75 V -

上升时间 39 ns 56 ns -

下降时间 24 ns 48 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 134 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR - -