MT46V64M8CY-5B:J

Micron(镁光) 主动器件

DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 60-FBGA（8x12.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA

Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA

MT46V64M8CY-5B:J中文资料参数规格

技术参数

工作电压 2.50 V

供电电流 230 mA

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT46V64M8CY-5B:J引脚图与封装图

MT46V64M8CY-5B:J引脚图

MT46V64M8CY-5B:J封装图

MT46V64M8CY-5B:J封装焊盘图

在线购买MT46V64M8CY-5B:J

型号	制造商	描述	购买
MT46V64M8CY-5B:J	Micron 镁光	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60	搜索库存

替代型号MT46V64M8CY-5B:J

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT46V64M8CY-5B:J 品牌： Micron 镁光封装： FBGA	当前型号	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60	当前型号
型号： MT46V64M8CV-5B:J 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, PLASTIC, FBGA-60	MT46V64M8CY-5B:J和MT46V64M8CV-5B:J的区别
型号： MT46V64M8BN-5B:F 品牌：镁光封装： 60-TFBGA 512000000B 2.6V 5ns	类似代替	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60	MT46V64M8CY-5B:J和MT46V64M8BN-5B:F的区别
型号： MT46V64M8BN-6:F 品牌：镁光封装： 512000000B 2.5V 6ns	类似代替	DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60Pin FBGA Tray	MT46V64M8CY-5B:J和MT46V64M8BN-6:F的区别