MT46V64M8CY-5B:J、MT46V64M8BN-6:F、MT46V64M8BN-5B:F对比区别

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型号 MT46V64M8CY-5B:J MT46V64M8BN-6:F MT46V64M8BN-5B:F

描述 DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60Pin FBGA TrayDDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 FBGA-60 FBGA-60 FBGA-60

电源电压(DC) - 2.50 V, 2.70 V (max) 2.60 V, 2.70 V (max)

工作电压 2.50 V 2.50 V 2.50 V

时钟频率 - 167MHz (max) 200MHz (max)

位数 8 8 8

存取时间 700 ps 6.00 ns 5.00 ns

内存容量 - 512000000 B 512000000 B

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

供电电流 230 mA - -

高度 - 0.85 mm -

封装 FBGA-60 FBGA-60 FBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -