MT46V64M8CY-5B:J、MT46V64M8BN-5B:F、MT46V64M8CV-5B:J对比区别

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型号 MT46V64M8CY-5B:J MT46V64M8BN-5B:F MT46V64M8CV-5B:J

描述 DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, PLASTIC, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 FBGA-60 FBGA-60 FBGA-60

电源电压(DC) - 2.60 V, 2.70 V (max) -

工作电压 2.50 V 2.50 V 2.50 V

时钟频率 - 200MHz (max) -

位数 8 8 8

存取时间 700 ps 5.00 ns -

内存容量 - 512000000 B -

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

供电电流 230 mA - -

封装 FBGA-60 FBGA-60 FBGA-60

高度 - - 0.8 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 PB free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - -