MRF8S21120HR3
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
MRF8S21120HR3中文资料参数规格
技术参数
频率 2.17 GHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 28 W
增益 17.6 dB
测试电流 850 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-780H-2L
外形尺寸
封装 NI-780H-2L
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MRF8S21120HR3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MRF8S21120HR3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF8S21120HR3 | NXP 恩智浦 | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V | 搜索库存 |
替代型号MRF8S21120HR3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF8S21120HR3 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-780 | 当前型号 | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V | 当前型号 |
| 型号： MRF8S21120HSR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-780S | 完全替代 | RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793 | MRF8S21120HR3和MRF8S21120HSR3的区别 |
| 型号： MRF8S21100HR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-780 | 类似代替 | Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 24W Avg., 28V | MRF8S21120HR3和MRF8S21100HR3的区别 |
| 型号： MRF8S21100HSR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-780S | 功能相似 | RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793 | MRF8S21120HR3和MRF8S21100HSR3的区别 |