MRF8S21100HR3、MRF8S21120HR3、MRF6S21100HR3对比区别

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型号 MRF8S21100HR3 MRF8S21120HR3 MRF6S21100HR3

描述 Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 24W Avg., 28VW-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V2170MHz, 23W Avg., 28V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Freescale (飞思卡尔)

分类 晶体管晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Flange

引脚数 3 3 -

封装 NI-780H-2L NI-780H-2L NI-780

频率 2.17 GHz 2.17 GHz 2.11GHz ~ 2.17GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 24 W 28 W 23 W

增益 18.3 dB 17.6 dB 15.9 dB

测试电流 700 mA 850 mA 950 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

额定电压 65 V 65 V -

额定电压(DC) - - 28.0 V

额定电流 - - 950 mA

漏源极电压(Vds) - - 68 V

封装 NI-780H-2L NI-780H-2L NI-780

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -