MRF8S21120HR3、MRF8S21120HSR3、MRF8S21100HR3对比区别

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型号 MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3 MRF8S21100HR3

描述 W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28VRF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 24W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-780H-2L

频率 2.17 GHz 2.17 GHz 2.17 GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 28 W 28 W 24 W

增益 17.6 dB 17.6 dB 18.3 dB

测试电流 850 mA 850 mA 700 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

电源电压 - 28 V -

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-780H-2L

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99