MRF8S21100HSR3、MRF8S21120HR3、MRF8S21120HSR3对比区别

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型号 MRF8S21100HSR3 MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3

描述 RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28VRF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 NI-780S NI-780H-2L NI-780S

频率 2.17 GHz 2.17 GHz 2.17 GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 24 W 28 W 28 W

增益 18.3 dB 17.6 dB 17.6 dB

测试电流 700 mA 850 mA 850 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

电源电压 28 V - 28 V

封装 NI-780S NI-780H-2L NI-780S

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

重量 4763.0 mg - -

工作温度 -65℃ ~ 225℃ - -