MRF6V12250HR5

NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780H-2L

得捷:
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780

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MRF6V12250HR5

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin NI-780 T/R

Verical:
Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R

RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 275 W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792

MRF6V12250HR5中文资料参数规格

技术参数

频率 1.03 GHz

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 2

输出功率 275 W

增益 20.3 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780H-2L

外形尺寸

封装 NI-780H-2L

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF6V12250HR5引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
MRF6V12250HR5	NXP 恩智浦	晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780	搜索库存

替代型号MRF6V12250HR5

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MRF6V12250HR5 品牌： NXP 恩智浦封装： NI-780	当前型号	晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780	当前型号
型号： MRF6V12250HSR5 品牌：恩智浦封装： NI-780S	完全替代	RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1793	MRF6V12250HR5和MRF6V12250HSR5的区别
型号： MRF6V12250HR3 品牌：恩智浦封装：	完全替代	Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50V	MRF6V12250HR5和MRF6V12250HR3的区别
型号： MRF6V12250HSR3 品牌：恩智浦封装：	完全替代	Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50V	MRF6V12250HR5和MRF6V12250HSR3的区别