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MRF6V12250HR3、MRF6V12250HR5、MMRF1008HSR5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF6V12250HR3 MRF6V12250HR5 MMRF1008HSR5

描述 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50V晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 NI-780H-2L NI-780H-2L NI-780S

频率 1.03 GHz 1.03 GHz 1.03 GHz

输出功率 275 W 275 W 275 W

增益 20.3 dB 20.3 dB 20.3 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) - - 695pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 100 V 100 V 100 V

电源电压 - 50 V 50 V

额定电流 - 10 µA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 - 2 -

封装 NI-780H-2L NI-780H-2L NI-780S

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99