MRF6V12250HR5、MRF6V12250HSR5、MRF6V12250HR3对比区别
型号 MRF6V12250HR5 MRF6V12250HSR5 MRF6V12250HR3
描述 晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1793Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 3 3 3
封装 NI-780H-2L NI-780S NI-780H-2L
频率 1.03 GHz 1.03 GHz 1.03 GHz
额定电流 10 µA 10 µA -
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
输出功率 275 W 275 W 275 W
增益 20.3 dB 20.3 dB 20.3 dB
测试电流 100 mA 100 mA 100 mA
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 100 V 100 V 100 V
电源电压 50 V 50 V -
针脚数 2 - -
封装 NI-780H-2L NI-780S NI-780H-2L
工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -