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MRF6V12250HR5、MRF6V12250HSR3、MRF6V12250HR3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF6V12250HR5 MRF6V12250HSR3 MRF6V12250HR3

描述 晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50VPulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-780H-2L

频率 1.03 GHz 1.03 GHz 1.03 GHz

额定电流 10 µA - -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

针脚数 2 - -

输出功率 275 W 275 W 275 W

增益 20.3 dB 20.3 dB 20.3 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 100 V 100 V 100 V

电源电压 50 V - -

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-780H-2L

工作温度 -65℃ ~ 225℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -