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MJD42C

MJD42C

数据手册.pdf

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series

• Monolithic Construction With Built−in Base − Emitter Resistors

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

                   Machine Model, C > 400 V

• Pb−Free Packages are Available

MJD42C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -6.00 A

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 75

额定功率Max 1.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MJD42C引脚图与封装图
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在线购买MJD42C
型号 制造商 描述 购买
MJD42C ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD42C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD42C

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： DPAK-3 Dual P-Channel -100V -6A 1.75W

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号： MJD32CG

品牌： 安森美

封装： TO-252-3 PNP -100V -3A 1560mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

MJD42C和MJD32CG的区别

型号： MJD42CT4G

品牌： 安森美

封装： TO-252-3 PNP -100V -6A 1750mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD42CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, 6 A, 30 hFE

MJD42C和MJD42CT4G的区别

型号： MJD32CT4G

品牌： 安森美

封装： TO252 PNP -100V -3A 1560mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD32CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 3 MHz, 15 W, -3 A, 10 hFE

MJD42C和MJD32CT4G的区别