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MJD42C、MJD42CT4G、MJD32CT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD42C MJD42CT4G MJD32CT4

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD42CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, 6 A, 30 hFESTMICROELECTRONICS  MJD32CT4  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -6.00 A -6.00 A -3.00 A

针脚数 - 3 3

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 1.75 W 20 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 6A 6A -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 15 W

直流电流增益(hFE) - 30 50

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 20 W 15000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 75 - -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99