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MJD32CT4G、MJD42C、MJD32CG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD32CT4G MJD42C MJD32CG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD32CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 3 MHz, 15 W, -3 A, 10 hFE互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -3.00 A -6.00 A -3.00 A

极性 PNP Dual P-Channel PNP

耗散功率 1.56 W 1.75 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 6A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 15 @3A, 4V 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 75 -

额定功率(Max) 1.56 W 1.75 W 1.56 W

频率 3 MHz - 3 MHz

针脚数 4 - 3

增益频宽积 - - 3 MHz

热阻 - - 8.3℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) 10 - 10

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1.56 W - 1560 mW

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.38 mm - 2.38 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99