MJD122T4、NJVMJD122T4G、MJD122-TP对比区别

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型号 MJD122T4 NJVMJD122T4G MJD122-TP

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorNPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 100V 8A DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 - NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 20 W 1500 mW

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 8.00 A - -

增益带宽 4MHz (Min) 4MHz (Min) -

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

直流电流增益(hFE) - 300 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.38 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99