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2N6491G、MJE15030、BD240B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6491G MJE15030 BD240B

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6491G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE8安培功率晶体管互补硅120-150伏, 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 5 MHz 30 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V 150 V -80.0 V

额定电流 15.0 A 8.00 A -2.00 A

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel - -

耗散功率 1.8 W 50 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 150 V 80 V

热阻 1.67℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 15A - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 4V 20 @4A, 2V 15 @1A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

额定功率(Max) 1.8 W 50 W 30 W

直流电流增益(hFE) 5 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1800 mW - 30000 mW

长度 10.28 mm - -

宽度 4.82 mm - -

高度 15.75 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99