M48Z512AY-70PM1
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
M48Z512AY-70PM1中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 115 mA
负载电容 100 pF
时钟频率 70.0 GHz
耗散功率 1.00 W
存取时间 70 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
外形尺寸
长度 43.18 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.52 mm
封装 DIP-32
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
海关信息
ECCN代码 EAR99
M48Z512AY-70PM1引脚图与封装图 
M48Z512AY-70PM1引脚图
M48Z512AY-70PM1封装图
M48Z512AY-70PM1封装焊盘图
在线购买M48Z512AY-70PM1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M48Z512AY-70PM1 | ST Microelectronics 意法半导体 | 5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池 | 搜索库存 |
替代型号M48Z512AY-70PM1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M48Z512AY-70PM1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PMDIP 500000B 5V 70ns 32Pin | 当前型号 | 5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池 | 当前型号 |
| 型号： DS1250Y-70+ 品牌： 美信 封装： DIP 500000B 5V 70ns 32Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250Y-70+ 芯片, 存储器, NVRAM | M48Z512AY-70PM1和DS1250Y-70+的区别 |
| 型号： M48Z512A-70PM1 品牌： 意法半导体 封装： DIP 4000000B 5V 70ns 32Pin | 类似代替 | 4兆位（ 512千位×8 ） ZEROPOWER® SRAM 4 Mbit 512 Kbit x 8 ZEROPOWER? SRAM | M48Z512AY-70PM1和M48Z512A-70PM1的区别 |
| 型号： DS1250Y-70IND+ 品牌： 美信 封装： DIP 500000B 5V 70ns 32Pin | 功能相似 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | M48Z512AY-70PM1和DS1250Y-70IND+的区别 |