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M48Z512A-70PM1、M48Z512AY-70PM1、BQ4015YMA-70对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M48Z512A-70PM1 M48Z512AY-70PM1 BQ4015YMA-70

描述 4兆位( 512千位×8 ) ZEROPOWER® SRAM 4 Mbit (512 Kbit x 8) ZEROPOWER? SRAM5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池512Kx8非易失SRAM 512Kx8 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

供电电流 - 115 mA 50 mA

负载电容 - 100 pF -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

耗散功率 - 1.00 W -

存取时间 70 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 4000000 B 500000 B 500000 B

存取时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

长度 43.18 mm 43.18 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 9.52 mm 9.52 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99