M48Z512AY-70PM1、DS1250Y-70IND+、DS1250AB-70+对比区别

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型号 M48Z512AY-70PM1 DS1250Y-70IND+ DS1250AB-70+

描述 5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 4.75V (min)

针脚数 - 32 32

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz -

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 500000 B 500000 B 500000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V

供电电流 115 mA - -

负载电容 100 pF - -

耗散功率 1.00 W - -

存取时间(Max) 70 ns - -

长度 43.18 mm 44.2 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 9.52 mm 10.92 mm -

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - -