MTP2P50E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -500 V
额定电流 -2.00 A
漏源极电阻 6.00 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 75 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1183pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MTP2P50E引脚图与封装图
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在线购买MTP2P50E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTP2P50E | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts | 搜索库存 |
替代型号MTP2P50E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTP2P50E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 P-Channel 500V 2A 6ohms | 当前型号 | 功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts | 当前型号 |
| 型号： MTP2P50EG 品牌： 安森美 封装： TO-220 P-Channel 500V 2A 6ohms 1.18nF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MTP2P50EG 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V | MTP2P50E和MTP2P50EG的区别 |
| 型号： VP2450N8-G 品牌： 超科 封装： SOT-89-3 P-Channel 30Ω | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 500V 0.16A 4Pin3+Tab SOT-89 | MTP2P50E和VP2450N8-G的区别 |
| 型号： NTE2381 品牌： NTE Electronics 封装： TO-220 P-Channel 500V 2A | 功能相似 | TO-220P-CH 500V 2A | MTP2P50E和NTE2381的区别 |