MTP2P50E、VP2450N8-G、MTP2P50EG对比区别
型号 MTP2P50E VP2450N8-G MTP2P50EG
描述 功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 VoltsTrans MOSFET P-CH 500V 0.16A 4Pin(3+Tab) SOT-89ON SEMICONDUCTOR MTP2P50EG 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Supertex (超科) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
封装 TO-220-3 SOT-89-3 TO-220-3
引脚数 - 4 3
额定电压(DC) -500 V - -500 V
额定电流 -2.00 A - -2.00 A
漏源极电阻 6.00 Ω 30.0 Ω 6 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 75 W 1.60 W 75 W
漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A - 2.00 A
上升时间 14 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 1183pF @25V(Vds) - 1183pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W - 75 W
下降时间 19 ns - 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) - 75W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
输入电容 - - 1.18 nF
栅电荷 - - 27.0 nC
额定功率 - 1.6 W -
长度 10.28 mm - 10.53 mm
宽度 4.82 mm - 4.83 mm
高度 9.28 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 SOT-89-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - 8541900000 -