MTP2P50E、MTP2P50EG对比区别

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型号 MTP2P50E MTP2P50EG

描述 功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 VoltsON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -500 V -500 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A

漏源极电阻 6.00 Ω 6 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 75 W 75 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A

上升时间 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1183pF @25V(Vds) 1183pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 75 W

下降时间 19 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 75W (Tc) 75W (Tc)

通道数 - 1

针脚数 - 3

输入电容 - 1.18 nF

栅电荷 - 27.0 nC

长度 10.28 mm 10.53 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99