MMDF2P02HD、MMDF2P02HDR2对比区别
描述 功率MOSFET 2安培, 20伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual功率MOSFET 2安培, 20伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8
封装 SOIC SOIC-8
额定电压(DC) - -20.0 V
额定电流 - -2.00 A
漏源极电阻 - 160 mΩ
极性 P-CH P-Channel
耗散功率 - 2.00 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 - 20.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.3A 3.30 A
输入电容(Ciss) - 588pF @16V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W
封装 SOIC SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99