MMBT918、MPS918、MPSH10RLRPG对比区别

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型号 MMBT918 MPS918 MPSH10RLRPG

描述 t-Npn Si- Vhf放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconVHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-226-3 TO-92-3

频率 - - 650 MHz

额定电压(DC) - 15.0 V 25.0 V

额定电流 - 50.0 mA 4.00 mA

极性 - - NPN

耗散功率 - 350 mW 350 W

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @8mA, 10V 60 @4mA, 10V

额定功率(Max) - 350 mW 350 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 350 mW 350000 mW

输入电容 - 2pF (Max) -

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - 7.87 mm 5.33 mm

封装 - TO-226-3 TO-92-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Box Tape & Box (TB)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99