额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 1.00 W
集电极击穿电压 -300 V min
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MPSW92 | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦高压晶体管( PNP硅) One Watt High Voltage TransistorPNP Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPSW92 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 PNP -300V -500mA 1W | 当前型号 | 一瓦高压晶体管( PNP硅) One Watt High Voltage TransistorPNP Silicon | 当前型号 | |
型号: MPSW92RLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -300V -500mA 1000mW | 类似代替 | ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MPSW92和MPSW92RLRAG的区别 | |
型号: KSP92BU 品牌: 安森美 封装: TO-226-3 625mW | 类似代替 | KSP92 系列 300 V 500 mA 通孔 PNP 外延 硅 晶体管-TO-92-3 | MPSW92和KSP92BU的区别 | |
型号: MPSW92RLRA 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -300V -500mA | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 300V PNP | MPSW92和MPSW92RLRA的区别 |