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KSP92BU、MPSW92、MPSA92对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP92BU MPSW92 MPSA92

描述 KSP92 系列 300 V 500 mA 通孔 PNP 外延 硅 晶体管-TO-92-3一瓦高压晶体管( PNP硅) One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)高压晶体管( PNP硅) High Voltage Transistors(PNP Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

额定电压(DC) - -300 V -300 V

额定电流 - -500 mA -500 mA

极性 - PNP Dual P-Channel

耗散功率 0.625 W 1.00 W 625 mW

集电极击穿电压 - -300 V (min) -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 - 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 625 mW

频率 50 MHz - -

增益频宽积 - - 50 MHz

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -