MPSW92、MPSW92RLRAG、MPSW92RLRA对比区别

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型号 MPSW92 MPSW92RLRAG MPSW92RLRA

描述 一瓦高压晶体管（ PNP硅） One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -300 V -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.00 W 1 W 1 W

集电极击穿电压 -300 V (min) - -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1 W -

频率 - 50 MHz -

增益频宽积 - 50 MHz -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm 5.21 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 7.87 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -