MPS8599G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS8599G引脚图与封装图
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在线购买MPS8599G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS8599G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors | 搜索库存 |
替代型号MPS8599G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS8599G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -80V -500mA | 当前型号 | 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors | 当前型号 |
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| 型号： MPS8599 品牌： 安森美 封装： TO-92 -80V -500mA | 完全替代 | 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors | MPS8599G和MPS8599的区别 |
| 型号： MPS8599RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -80V -500mA | 功能相似 | 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors | MPS8599G和MPS8599RLRA的区别 |