MPS8599G、MPS8599RLRA、MPS8599对比区别

高亮显示差异参数

型号 MPS8599G MPS8599RLRA MPS8599

描述 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors60V, 500mA, PNP epitaxial silicon transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Samsung (三星)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

引脚数 3 - -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -

额定电流 -500 mA -500 mA -

极性 PNP PNP -

耗散功率 625 mW 625 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

增益频宽积 150 MHz - -

耗散功率(Max) 625 mW - -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -