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MPS8599G、MPS8599RLRAG、MPS8599对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS8599G MPS8599RLRAG MPS8599

描述 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors放大器晶体管 Amplifier Transistors60V, 500mA, PNP epitaxial silicon transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Samsung (三星)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -

额定电流 -500 mA -500 mA -

极性 PNP PNP -

耗散功率 625 mW 625 mW -

增益频宽积 150 MHz 150 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -