MJB44H11中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 800
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJB44H11引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJB44H11
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJB44H11 | ON Semiconductor 安森美 | 互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount | 搜索库存 |
替代型号MJB44H11
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJB44H11 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： D2PAK-3 NPN 80V 10A | 当前型号 | 互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount | 当前型号 |
| 型号： MJB44H11G 品牌： 安森美 封装： TO-263 NPN 80V 10A 2000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJB44H11G. 功率晶体管, NPN, 80V, D2-PAK | MJB44H11和MJB44H11G的区别 |
| 型号： NJVMJB44H11T4G 品牌： 安森美 封装： D2PAK-3 NPN 2000mW | 完全替代 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MJB44H11和NJVMJB44H11T4G的区别 |
| 型号： MJB44H11T4 品牌： 安森美 封装： CASE 80V 10A | 完全替代 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJB44H11和MJB44H11T4的区别 |