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MJB44H11、MJB44H11T4、NJVMJB44H11T4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJB44H11 MJB44H11T4 NJVMJB44H11T4G

描述 互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 CASE 418B-04 TO-263-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 10.0 A 10.0 A -

针脚数 - - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 - - 50 W

增益频宽积 - - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 10A - 10A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V - 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 2 W - 2 W

直流电流增益(hFE) - - 40

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

封装 TO-263-3 CASE 418B-04 TO-263-3

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 11.05 mm

高度 - - 4.83 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tape Tape & Reel (TR)

最小包装 800 - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - - NLR

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)