MJB44H11、MJB44H11G、NJVMJB44H11T4G对比区别

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型号 MJB44H11 MJB44H11G NJVMJB44H11T4G

描述 互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface MountON SEMICONDUCTOR  MJB44H11G.  功率晶体管, NPN, 80V, D2-PAKNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

频率 - 50 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 10.0 A 10.0 A -

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 50 W 50 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 40 40

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

增益频宽积 - - 50 MHz

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 11.05 mm

高度 - - 4.83 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 800 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - - NLR