极性 N-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 469pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
封装 DPAK-252
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
RoHS标准 Non-Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MTD15N06V | ON Semiconductor 安森美 | DPAK N-CH 60V 15A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MTD15N06V 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DPAK | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 15A | 当前型号 | |
型号: NTD3055L104T4G 品牌: 安森美 封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 104mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V | MTD15N06V和NTD3055L104T4G的区别 | |
型号: IRFR1205TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 44A | 功能相似 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | MTD15N06V和IRFR1205TRPBF的区别 | |
型号: IRFZ24NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 17A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | MTD15N06V和IRFZ24NPBF的区别 |