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ON Semiconductor 安森美 分立器件
MTD15N06V中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 469pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 55000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

MTD15N06V引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MTD15N06V ON Semiconductor 安森美 DPAK N-CH 60V 15A 搜索库存
替代型号MTD15N06V
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MTD15N06V

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK

当前型号

DPAK N-CH 60V 15A

当前型号

型号: NTD3055L104T4G

品牌: 安森美

封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 104mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V

MTD15N06V和NTD3055L104T4G的区别

型号: IRFR1205TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 44A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

MTD15N06V和IRFR1205TRPBF的区别

型号: IRFZ24NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 17A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

MTD15N06V和IRFZ24NPBF的区别