MTD15N06V、NTD3055L104T4G、NTD18N06LT4G对比区别

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型号 MTD15N06V NTD3055L104T4G NTD18N06LT4G

描述 DPAK N-CH 60V 15AON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 VON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TRIACsMOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 15A 12.0 A 18.0 A

上升时间 51 ns 104 ns 79 ns

输入电容(Ciss) 469pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 40.5 ns 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 55000 mW 1.5 W 2.1 W

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 12.0 A 18.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 4 3

漏源极电阻 - 0.089 Ω 0.054 Ω

耗散功率 - 48 W 55 W

阈值电压 - 1.6 V 1.8 V

漏源击穿电压 - 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±15.0 V

额定功率(Max) - 1.5 W 55 W

输入电容 - - 482pF @25V

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR