IRFZ24NPBF、MTD15N06V、IRFZ24N,127对比区别

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型号 IRFZ24NPBF MTD15N06V IRFZ24N,127

描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 60V 15ATrans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管TRIACsMOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 DPAK-252 TO-220-3

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 17A 15A -

上升时间 34 ns 51 ns -

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 469pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns 33 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 55000 mW 45W (Tc)

耗散功率 45 W - 45W (Tc)

额定功率 45 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.07 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 370 pF - -

漏源击穿电压 55 V - -

额定功率(Max) 45 W - -

封装 TO-220-3 DPAK-252 TO-220-3

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 8.77 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -