IRFR1205TRPBF、MTD15N06V、IRFR1205TRLPBF对比区别

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型号 IRFR1205TRPBF MTD15N06V IRFR1205TRLPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 60V 15AN沟道 55V 44A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管TRIACsMOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 DPAK-252 TO-252-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 0.027 Ω - 27 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 107 W - 107 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 44A 15A 44A

上升时间 69 ns 51 ns 69 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 469pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 33 ns 60 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 107W (Tc) 55000 mW 107W (Tc)

额定功率 69 W - -

针脚数 3 - -

额定功率(Max) 107 W - -

长度 6.73 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 DPAK-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -