MJB45H11T4G、NJVMJB45H11T4G、MJB45H11G对比区别

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型号 MJB45H11T4G NJVMJB45H11T4G MJB45H11G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

频率 40 MHz - 40 MHz

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -10.0 A - -10.0 A

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel, P-Channel PNP PNP

耗散功率 50 W 2000 mW 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 40 - 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

长度 10.29 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99