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MJE521

MJE521

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  MJE521  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 4A 40W Through Hole SOT-32-3


得捷:
TRANS NPN 40V 4A SOT32-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Audio Amplifier


e络盟:
STMICROELECTRONICS  MJE521  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Win Source:
TRANS NPN 40V 4A SOT-32


MJE521中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 1V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SOT-32-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 SOT-32-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MJE521引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJE521 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  MJE521  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号MJE521
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJE521

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOT-32 NPN 40V 4A 40000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  MJE521  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE

当前型号

型号： MJE521G

品牌： 安森美

封装： TO-225AA NPN 40V 4A 40W

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封装：

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