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MJE521、MJE521G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE521 MJE521G

描述 STMICROELECTRONICS  MJE521  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium−Power NPN Silicon Transistor

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 SOT-32-3 TO-126-3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A

针脚数 3 -

极性 NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 1V 40 @1A, 1V

额定功率(Max) 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW -

集电极最大允许电流 - 4A

长度 7.8 mm 7.74 mm

宽度 2.7 mm 2.66 mm

高度 10.8 mm 11.04 mm

封装 SOT-32-3 TO-126-3

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99