MJE521、MJE521G对比区别
描述 STMICROELECTRONICS MJE521 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium−Power NPN Silicon Transistor
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 SOT-32-3 TO-126-3
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A
针脚数 3 -
极性 NPN NPN
耗散功率 40 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 1V 40 @1A, 1V
额定功率(Max) 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) 40 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW -
集电极最大允许电流 - 4A
长度 7.8 mm 7.74 mm
宽度 2.7 mm 2.66 mm
高度 10.8 mm 11.04 mm
封装 SOT-32-3 TO-126-3
材质 Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99