BDW42、MJE521、BDW93C对比区别
描述 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSSTMICROELECTRONICS MJE521 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFESTMICROELECTRONICS BDW93C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFE
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - SOT-32-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 40.0 V 100 V
额定电流 - 4.00 A 12.0 A
针脚数 - 3 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 40 W 80 W
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 1V 750 @5A, 3V
额定功率(Max) - 40 W 80 W
直流电流增益(hFE) - 40 20000
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 40000 mW 80000 mW
长度 - 7.8 mm 10.4 mm
宽度 - 2.7 mm 4.6 mm
高度 - 10.8 mm 9.15 mm
封装 - SOT-32-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99