MMBT8099LT1G、MPS8099RLRAG、MMBT8099LT1对比区别

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型号 MMBT8099LT1G MPS8099RLRAG MMBT8099LT1

描述 NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MPS8099RLRAG  双极性晶体管放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 625 mW 225 mW

频率 150 MHz 150 MHz -

针脚数 3 3 -

耗散功率 225 mW 625 mW -

直流电流增益(hFE) 150 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 625 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

长度 3.04 mm 5.2 mm -

宽度 1.4 mm 4.19 mm -

高度 1.01 mm 5.33 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -