MSD42T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 150 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MSD42T1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MSD42T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSD42T1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors | 搜索库存 |
替代型号MSD42T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSD42T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 300V 150mA 0.15W | 当前型号 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors | 当前型号 |
| 型号： MSD42T1 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors | MSD42T1G和MSD42T1的区别 |