MSD42T1、MSD42T1G对比区别

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型号 MSD42T1 MSD42T1G

描述 NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage TransistorsNPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

封装 SC-59 SOT-23-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A

额定电压(DC) - 300 V

额定电流 - 150 mA

耗散功率 - 0.15 W

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) - 150 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

封装 SC-59 SOT-23-3

长度 - 3.1 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 1.2 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99