MMBTH10、MMBTH10LT3G、MMBTH10LT1G对比区别

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型号 MMBTH10 MMBTH10LT3G MMBTH10LT1G

描述 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFEON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 - NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW

增益频宽积 - 650 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 60 @4mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

频率 - - 650 MHz

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 4.00 mA

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 60 - 60

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 2.64 mm 1.4 mm

高度 - 1.11 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99